Американские учёные из Рочестерского университета разрабатывают новый тип транзисторов, использование которых теоретически позволит на несколько порядков повысить быстродействие компьютерных чипов.

Методика получила название Ballistic Deflection Transistor (BDT), что можно перевести как транзистор с баллистическим отклонением. В новом транзисторе используется специальный полупроводниковый материал, в котором атомы примесей не влияют на движение электронов (двумерный электронный газ). При этом отдельные электроны, проходя через поляризованный затвор, отклоняются электрическим полем и затем отражаются от одной из граней клиновидного препятствия (см. рисунок). Таким образом, в зависимости от величины поля электроны отражаются влево или вправо, что соответствует логическим нолю и единице.

Принцип работы нового транзистора

Разрабатываемая технология имеет ряд преимуществ по сравнению с современными методиками изготовления транзисторов. Поскольку в баллистических транзисторах допускается управление движением отдельных электронов, то такие транзисторы могут быть значительно меньше обычных и работать в сотни раз быстрее. В частности, новая технология теоретически позволит создавать микрочипы, работающие на частотах до 3 ТГц (3000 ГГц). Кроме того, транзисторы с баллистическим отклонением потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла.

Специалисты Рочестерского университета, проводящие исследования под руководством Квентина Дайдака, уже получили от американского Национального научного фонда грант в размере 1,1 миллиона долларов. Предполагается, что эти средства будут направлены на создание рабочего прототипа транзистора нового типа.

Автор: Владимир Парамонов, Сomputerra