Intel объявила об успешной разработке техпроцесса P1265, предусматривающего изготовление по 65-нм нормам чипов с пониженным энергопотреблением, предназначенных для разнообразного мобильного оборудования – от ноутбуков до сотовых телефонов. Согласно утверждению производителя, по сравнению с первой реализацией 65 нм техпроцесса, P1264, предназначенного для выпуска высокопроизводительных чипов, в новом удалось снизить значение токов утечки транзисторов примерно в тысячу раз. Правда, платой за это стало снижение производительности примерно в два раза. В более точном выражении техпроцесс P1265 обеспечивает токи утечки 0,01 нА/мкм, по сравнению со 100 нА/мкм для P1264.

Для достижения результата Intel снизила утечки в их трех основных источниках – при величине напряжений менее пороговых значений, утечках через переходы и через слой оксида. Чтобы обеспечить результат, компания пошла даже на увеличение слоя оксида на переходах – своего рода «шаг назад», что и явилось одной из причин снижения производительности, но зато обеспечило снижение утечек. Помимо нововведений, новый техпроцесс сохранил основные черты взятого при его разработке за основу процесса P1264 – восемь металлизированных слоев с медными соединениями, применение low-k диэлектриков и «напряженного» кремния.

Инф. 3dnews