На рынке флэш-памяти в последнее время события происходят с завидной скоростью. В течение некоторого времени откладывался выпуск NAND флэш-памяти Samsung. Затем он все же произошел. После чего на пятки компании Samsung в плане технологического лидерства наступает дуэт Intel-Micron (IM Flash Technologies, IMFT), опережая ее с выпуском флэш-памяти по более тонкому техпроцессу. Сегодня же Samsung анонсирует высокоемкую флэш-память MMCplus c высокой плотностью записи.

Новая производительная память Samsung основана на последнем достижении компании - 8-Гбит микросхемах SLC NAND (single-level cell). Как отмечается, новое устройство работает в три раза быстрее, чем обычные ММС-носители. Скорость чтения составляет 40 Мб/с, чтения - 25 Мб/с. Будут выпускаться карточки объемом 1 и 2 Гб.

Более того, недавно компания сообщала о том, что вчетверо увеличила плотность своей OneNAND флэш-памяти, емкость которой возросла с 2 Гб до 8 Гб. Как отмечается, достигнуть таких успехов ей помог техпроцесс "wafer -level stack process", по которому несколько подложек объединяются в одно целое. В случае с новым 8 Гб носителем ММС схему устройства можно представить как 2 х 4-Гб (4 х 8 Гбит), т.е. 2 сложенных 4-Гб модуля, каждый из которых состоит из четырех 8-Гбит микросхем.

Новые MMCplus должны попасть на рынок уже во второй ине этого года. Как показывает практика с IMFT, медлить с выпуском подобных устройств Samsung нельзя, особенно если она хочет остаться в числе лидеров на этом быстрорастущем рынке. Цены на MMCplus пока не оглашаются. По материалам DailyTech.

Инф. iXBT