На конференции Intel Developer Forum, которая открывается в Пекине, планирует провести первую ую демонстрацию технологии Phase-change RAM, сообщает сайт algonet.

Это разновидность энергонезависимой памяти, разработанная Intel и несколькими другими компаниями. Ее прочат взамен флэш-памяти, а возможно и DRAM.

Технология Phase-change Random Access Memory (PRAM) - память с изменением фазы, которая основывается на халькогенидном стекле, чувствительном к нагреву электрическим током. Ток изменяет физическую структуру стекла, переводя его из кристаллического состояния в аморфное. В разных состояниях стекло имеет разное электрическое сопротивление, что можно использовать для записи двоичной информации. PRAM обещает лучшую скорость чтения-записи и долговечность по сравнению с флэш-памятью.

Флэш-память используется в сотовых телефонах и других мобильных устройствах, но может применяться и в персональных компьютерах. Флэш-технология лежит в основе кэш-памяти Intel Robson. PRAM способна заменить эту технологию, а возможно, будет ать еще более важную роль.

Как утверждает источник, даже если РRAM составит практичную альтернативу DRAM, это не означает, что она вытеснит эту технологию. Появится новый уровень иерархии. Или DRAM перейдет на новый уровень иерархии кэш-памяти, а память с изменением фазы станет, по существу, главной памятью.

E-NEWS