Несмотря на то, что компания Motorola сравнительно недавно представила первый коммерческий чип MRAM (магниторезистивной памяти), говорить о том, что это единственная альтернатива технологии обычной DRAM, использующей для хранения информационного состояния бита данных электрический заряд, нельзя. Мы уже сообщали в этой связи о FeRAM, разработки в области которой также близки к завершению, и о технологиях памяти, в которой используется эффект изменения локального фазового состояния вещества (OUM). Однако, упоминавшаяся в последнем сообщении STMicroelectronics, что называется, смотрит вперед гораздо дальше – по сообщению источника, исследователи компании достигли определенного прогресса в области молекулярной памяти. Такая память должна будет прийти на смену MRAM, FeRAM и OUM, или все той же DRAM (ведь и «старую добрую» технологию тоже не стоит сбрасывать со счетов) в не слишком-то близком будущем.

Предложенные учеными Джанфранко Черофолини (Gianfranco Cerofolini) и Данило Масколо (Danilo Mascolo) из итальянского научно-исследовательского центра STMicroelectronics гибридные микро+наночипы, как прогнозируется, будут наиболее успешными в качестве энергонезависимой памяти, плотность которой может быть порядка 100 млрд. бит на квадратный сантиметр (или 0,25 терабит на 1 квадратный дюйм, см. Cerofolini, G. and Mascolo, D. “A hybrid micro-nano-molecular route for nonvolatile memories.” Semiconductor Science & Technology. 21 (2006). 1315-1325. ).

Для начала предлагается создать микроэлектронный кремниевый чип, контролирующий молекулярную сетку, в каждом узле которой содержится до 10 тысяч молекул. Каждая индивидуальная молекула является запоминающей ячейкой, обладая двумя различными по электропроводимости состояниями. В момент записи молекула поглощает электрон и переходит в состояние логической «1», а для «стирания» присоединенный электрон можно принудительным образом заставить протуннелировать «наружу».

Надо отметить, что главный элемент предложенной учеными памяти – «запоминающие» молекулы, пока что существует лишь на бумаге. Однако, авторы проекта уверены, что гипотетические молекулы вполне могут быть синтезированы и, будучи самоорганизующимися, должны будут составить достойную концию более дорогой (в наномасштабах) электронно-лучевой технологии (когда, конечно, до неё дойдёт дело). Предполагается, что чип плотностью 10 Гбит будет содержать 200 тысяч внутренних проводников и 256 усилителей мощности, занимая площадь в 2,5 кв. см. При этом, вопросы надежности будущего типа памяти также пока остаются без ответа. По материалам PhysOrg .

Инф. iXBT