• Головна / Main Page
  • Стрічка новин / Newsline
  • АРХІВ / ARCHIVE
  • RSS feed
  • TI и MIT представили ультранизковольтную SRAM
    Опубликовано: 2006-02-10 13:39:00

    В рамках программы разработки технологий ультрадинамического масштабирования напряжения компания Texas Instruments (TI) и Массачусетский технологический институт (Massachusetts Institute of Technology, MIT) представили чип SRAM памяти, с наименьшим, по их словам, питающим напряжением в подпороговом состоянии. Микросхема емкостью 256 Кбит изготовлена по 65-нм техпроцессу TI, каждая ячейка реализована на 10 транзисторах, минимальное напряжение питания – 0,4 В, ток утечки в подпороговом состоянии снижен в 2,25 раз по сравнению со схемами, использующими шесть транзисторов на ячейку и требующими минимально 0,6 В питания.

    Технологии ультрадинамического масштабирования напряжения, по заявлению представителя TI, будут применяться в чипах, построенных по 45-нм и более тонким техпроцессам, и позволят создавать устройства, оптимальным образом использующие питание от батарей. Интересно, что соучредителем сотрудничества TI и MIT в этой области стало небезызвестное оборонное ведомство США Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA). В заявлении разработчиков указано, что одним из ключевых моментов, позволивших понизить напряжение питания, стала оптимизация дизайна транзисторов, обеспечившая снижение тока утечки.

    Инф. 3DNews

     

    agrinews.com.ua

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с AgriNEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Новости агробизнеса AgriNEWS.COM.UA" обязательна.

    E-mail:
    info@agrinews.com.ua
    При использовании информации в электронном виде активная ссылка на agrinews.com.ua обязательна.