Еpson объявила о создании первого в мире гибкого модуля памяти TFT-SRAM на 16 Кбит. Компания ориентирует новый модуль на портативные мобильные устройства, заявляя, что TFT-SRAM станет их ключевым компонентом данного типа, сочетая в себе лёгкость, малые размеры и гибкость.

Для производства этих модулей Epson разработала уникальные технологии, включающие низкотемпературный поли с тонким покрытием и SUFTLA (Surface Free Technology by Laser Ablation), которая позволяет применять TFT, обычно наносимые на стекло, на гибких поверхностях. Посредством этих технологий, на пластиковой подложке были сформированы необходимые электронные цепи. Новый револлюционный чип памяти обладает высоким быстродействием и требует низкое напряжение.

TFT-SRAM может быть применена в другой разработке Epson, 8-битном асинхронном процессоре ACT11. По сообщениям специалистов, уже получены первые успешные результаты связки TFT-SRAM-ACT11. TFT-SRAM характеризуется архитектурой "одна клетка - шесть транзисторов" и низким временем доступа, реализуемого с помощью встроенного в палстиковую подложку сенсорного усилителя. Размер чипа - 10,77 x 8,28 мм, толщина - 2 мм. Время доступа к данным при 3,3 В на чтение - 650 нс, на запись - 325 нс, при 6 В - 200 и 100 нс соответственно.

Инф. 3dnews