Intel и Corning Incorporated заключили соглашение о совместной разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE (low thermal expansion), необходимых для EUV-литографии. EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения.

Литография используется при производстве микросхем для «рисования» схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для «рисования» транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография (литография с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения) позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм, благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую «кисть» и смогут «рисовать» уменьшенные транзисторы. Используя новую технологию можно создавать высококачественные фотомаски EUV, позволяющие начать массовое производство полупроводниковых схем с размером узла 32 нм.

Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Повышение качества масок EUV, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии.

По оптимистическому заявлению руководителей компаний, уже к 2009 году можно ожидать запуск производства микросхем с использованием EUV-литографии.

Источник 3dnews agrinews.com.ua