Достигнут еще один успех в области разработок резистивной энергонезависимой памяти (RRAM). Компании Fujitsu удалось создать прототип RRAM-памяти с очень высокой скоростью переключения ячеек – всего 3 нс. Это большой прогресс, так как ранее типичным значением являлось 9-10 нс, что в три раза хуже достижения Fujitsu. Инженеры отмечают, что такая высокая скорость достигнута не только для операций стирания, а также и для записи. Помимо этого, в процессе исследований компании удалось получить 4-уровневую ячейку, операции стирания/записи которой осуществляются с помощью изменения высоты импульсов напряжения с периодом в 5 нс.

В двух словах опишем метод создания RRAM-памяти Fujitsu. На платиновый субстрат (катод) толщиной 100 нм наносится 50-нм слой нитрида титана (TiN). Далее TiN обрабатывается термическим окислением, в результате чего получают слой окисла титана (TiO2) толщиной 70 нм. При подаче импульсов напряжения изменяется электрическое сопротивление пленки окисла титана, на основании которого ячейка принимает одно их логических значений («0» или «1»). Далее поверх наносят еще один платиновый слой (анод) толщиной 50 нм. Более детальные сведения пока не разглашаются.

Хочется отметить, что инженеры Fujitsu при создании RRAM использовали традиционную КМОП-технологию, что, конечно же, облегчит наладку массового производства. О своих планах и прогнозах относительно будущего новой разработки компания пока ничего не сообщала.

3dnews