Компания Samsung сегодня объявила о разработке первого 80нм гигабайтного чипа памяти Mobile DRAM, предназначенного для работы в мобильных электронных устройствах.

Инженеры Samsung говорят, что новинка использует технологию Synchronous DRAM, которая снижает энергопотребление чипа на 30% по сравнению с предшественниками.

По словам разработчиков, на рынке уже есть 1Гб чипы, но технически они представляет собой два соединенных между собой 512-мегабайтных модуля. Новинка же от Samsung хоть и использует те же принципы, но представляет собой монолитный чип, что дает меньшее тепловыделение в процессе работы, а также более высокую скорость передачи данных.

По размерам новым 80нм чипы на 20% тоньше своих 512мб предшественников.

Массовое производство новинки намечено на весну 2007 года.

Cybersecurity