Компания Renesas Technology представила результаты работ по созданию высокоскоростного и недорогого транзистора для микропроцессоров и однокристальных систем, которые будут выпускаться по нормам 45 нм и менее.

В основе новинки – гибридная структура CMIS (Complementary Metal Insulator Semiconductor). Ее особенность заключается в том, что затвор транзистора p-типа изготавливается из метала, а затвор транзистора n-типа изготавливается из поликристаллического кремния. Чтобы преодолеть сложности, возникающие при таком подходе, специалисты компании решили использовать в затворе материал с высокой диэлектрической проницаемостью (HfSiON), который можно получить простым добавлением ионов фтора и минимальной обработкой слоя, состоящего из нитрида титана, который формируется на предыдущей стадии техпроцесса. Важное достоинство новой технологии состоит в том, что она не требует значительных изменений в существующем техпроцессе, а это, в свою очередь, положительно сказывается на стоимости чипов.

Практический результат разработки компания продемонстрировала на встрече 2006 IEEE International Electron Devices Meeting, прошедшей на днях в Сан-Франциско. Прототип транзистора, с затвором размерами 40 нм, выпущенный по новой технологии, как утверждается, продемонстрировал отличные показатели быстродействия и нагрузочной способности.

iXBT