• Головна / Main Page
  • Стрічка новин / Newsline
  • АРХІВ / ARCHIVE
  • RSS feed
  • Технология получения пластин из нитрида галлия на изоляторе
    Опубликовано: 2005-03-14 20:14:44
    Компания Soitec объявила о том, что она разработала технологию Smart Cut получения пластин из нитрида галлия (GaN) на изоляторе. Это достижение не только открывает путь к созданию светодиодов (LED) голубого и белого цвета свечения, но и позволяет получать высокоэффективные полупроводниковые приборы радиочастотного диапазона (RF). Работы выполнялись совместно с фирмой Picogiga International, причем усилия лаборатории Smart Cut Enabling Application Laboratory (SCEALAB) компании Soitec сосредотачивались на технологии получения и производства сложных структур из полупроводниковых материалов. Разработанная технология позволяет отделить тонкий, выращенный эпитаксиальным способом слой нитрида галлия (GaN) от высококачественной пластины-донора и перенести его на пластину-носитель, в результате чего получается пластина из монокристалла GaN на подложке из изолятора. В процессе разработки находятся технологии получения пластин кремния на поликристаллическом карбиде (SoPSiC), карбида кремния на изоляторе (SiCOI) и карбида кремния на поликристаллическом карбиде кремния (SiCopSiC). Инф. Рcweek agrinews.com.ua

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с AgriNEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Новости агробизнеса AgriNEWS.COM.UA" обязательна.

    E-mail:
    info@agrinews.com.ua
    При использовании информации в электронном виде активная ссылка на agrinews.com.ua обязательна.