Японский производитель оперативной памяти DRAM, Elpida Memory, объявила о создании следующего поколения чипов – это 512 МБ DDR3 SDRAM. На сегодняшний день, в создании DDR3 заинтересованы ведущие компании, включая Micron и Samsung. Новые модули SDRAM обеспечат передачу данных до 1333 МБ в секунду, что вдвое больше, чем может предоставить память DDR2.

Модули DDR3 от Elpida выполняются по 90-нм техническому процессу и поступят в продажу уже к концу этого года. Микросхемы используют транзисторную технологию “dual-gate”, уменьшающую утечку тока в устройствах DRAM. Потребление составит всего 1,5 В, что на 0,3 В меньше, чем потребляет DDR2. Массовое производство новой памяти компания планирует начать в 2006. Кроме того, Elpida намерена создавать 1 ГБ и 2 ГБ DDR3 чипы.

Ист. 3dnews/news