Для компании эти микросхемы станут первыми, которые будут производиться по столь «тонкой» технологии, ключевым элементом которой является усовершенствованный литографический техпроцесс с использованием эксимерного ArF лазера, излучающего в ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 193 нм.

По словам Elpida, ей удалось добиться того, что энергопотребление новых чипов осталось на уровне существующих 1 Гбит устройств, а быстродействие соответствует стандарту DDR2-800. На базе новых чипов можно строить модули DIMM или FB-DIMM общей емкостью 4 или 8 ГБ.

Начало выпуска ожидается в конце марта следующего года, объем выпуска будет уточняться в соответствии с рыночным спросом, тогда же будет принято и решение о размерах цен, в соответствии с актуальной в то время ситуацией на рынке.

Источник 3dnews agrinews.com.ua