Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения.
OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) является развитием технологий резистивной памяти. Размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА.
Кроме того, как сообщает Ixbt, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.
agrinews.com.ua
|
||||||
Samsung представляет новые технологии
Опубликовано: 2004-12-15 10:52:13
Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с AgriNEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Новости агробизнеса AgriNEWS.COM.UA" обязательна.
|
Новости рубрики:
Croissance des récoltes de légumes de 10 % en 2023 : ce qui a été le plus récolté
Die Verluste der Bauern in der Region Donezk infolge des Krieges überstiegen 5 Milliarden Griwna Поставка бесплатных семян хлопка для украинских аграриев: новые перспективы Les produits laitiers ukrainiens de haute qualité conquièrent les marchés mondiaux Буковина: лідер за виробництвом яблук серед українських областей Retard des semis des agriculteurs ukrainiens : vue d'ensemble et prévisions de récolte Wczesne zboża rosną szybciej: agrometeorolodzy o warunkach wiosennych |