Американские учёные из Университета Дрекселя и Университета штата Пенсильвания разработали методику экранирования сегнетоэлектриков, которая позволит строить на их основе компьютерную память очень большой ёмкости.

В некотором интервале температур сегнетоэлектрики обладают самопроизвольной электрической поляризацией в отсутствие электрического поля. Они легко меняют свой спин, что делает их перспективной основой для магнитной памяти нового поколения.

Проводники на основе сегнетоэлектриков получаются очень тонкие, на пять порядков тоньше человеческого волоса, и требуют тщательного экранирования от внешних электрических полей.

Традиционно в качестве экранирующего материала используются металлы, но учёные предложили взять заряженный материал с фрагментами воды. Так наличие гидроксильных ионов (ОН) позволяет полностью стабилизировать сегнетоэлектрик, что ранее сделать не удавалось.

Накопители на основе сегнетоэлектриков смогут работать гораздо быстрее современных аналогов и будут иметь несравнимо большую плотность записи.

Автор: Денис Бартоломе, Сomputerra