• Головна / Main Page
  • Стрічка новин / Newsline
  • АРХІВ / ARCHIVE
  • RSS feed
  • Готовясь к переходу на 32 нм.
    Опубликовано: 2005-07-15 19:44:52
    Нынешнее поколение инструментов для литографии работает с длиной волны 193 нм и позволяет создавать транзисторы с линейными размерами до 50 нм. Консорциум International Roadmap of Semiconductor Technology признал наиболее перспективной технологией следующего поколения EUV-литографию (EUV — Extreme Ultraviolet, сверхжесткий ультрафиолет), использующую электромагнитное излучение с длиной волны 13,5 нм.

    Внедрению этой технологии препятствует ряд проблем, в частности создание высококачественных фотомасок. Корпорации Intel и Corning заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE (ultralow thermal expansion). Участники соглашения рассчитывают, что благодаря ей производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 г. На первом этапе можно будет наладить массовое производство полупроводниковых схем с технологической нормой 32 нм.

    Источник Pcweek agrinews.com.ua

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с AgriNEWS.COM.UA активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Новости агробизнеса AgriNEWS.COM.UA" обязательна.

    E-mail:
    info@agrinews.com.ua
    При использовании информации в электронном виде активная ссылка на agrinews.com.ua обязательна.