Во Франции, в ходе выставки Cartes Trade Show, компании Intel и Infineon Technologies сообщили о начале совместного сотрудничества, целью которого является разработка SIM-карт нового поколения, оснащенных большим объемом памяти, сообщает сайт cybersecurity.

SIM-карты высокой емкости будут базироваться на микросхемах NOR флэш-памяти объемом от 4 Мб до 64 Мб. Выбор объясняется невысокой стоимостью микросхем флэш-памяти, по сравнению с NAND-памятью, а не самые высокие скоростные показатели.

Европейский производитель микрочипов Infineon сообщил, что в новых HD SIM-картах будет присутствовать обновленный 32-разрядный микроконтроллер, обеспечивающий безопасность данных. Intel со своей стороны разработает новое поколение специализированной компактной флеш-памяти для карт.

Основные производственные мощности NOR-памяти создаются в соответствии с 130-нм технологическим процессом. Плнируются 64-мегабайтные модули для SIM-карт на 65-нм технологии, а в последствии и с 45-нм.