Об одном фундаментальном нововведении, которое позволит удерживать темпы прогресса процессорной индустрии в ближайшие годы, компании Intel и IBM совместно с AMD, Toshiba и Sony почти одновременно поведали общественности в конце прошлого месяца. Еще одним перспективным путем повышения производительности процессоров компания IBM считает наращивание емкости кэш-памяти и улучшения ее скоростных показателей.

Как известно, 45-нм процессоры IBM появятся в следующем году (вероятнее всего, во второй ине года). При внедрении 45-нм производственного процесса компания планирует применить кэш-память типа eDRAM, в отличие широко распространенной на данный момент SRAM-памяти. Вследствие постоянного уменьшения площади микросхем увеличиваются токи утечки, для решения этой проблемы инженеры IBM предложили использовать память eDRAM (embedded DRAM), произведенную по 65-нм нормам. Причем eDRAM будет применяться совместно с технологией "кремний на изоляторе" (SOI, Silicon-on-Insulator). Как сообщается, сопряжение этих двух решений является технически сложной задачей, но, судя по всему, инженеры IBM нашли свой подход к решению этой проблемы.

Новая разработка позволит увеличить быстродействие кэш-памяти, при этом в три раза увеличивается ее плотность и в 5 раз уменьшается потребляемая мощность в режиме бездействия процессора. Представители IBM утверждают, что производительность процессоров с eDRAM-кэшем повысится примерно в два раза по сравнению с существующими решениями. Главный инженер и управляющий развитием 45-нм производства в IBM Субу Айер (Subu Iyer) поделился информацией о том, что компания может оснастить процессоры следующего поколения кэш-памятью емкостью 24 и, возможно, даже 48 Мб.

Как известно, одним из главных партнеров IBM является компания AMD. Естественно, возникает вопрос, будет ли использовать AMD новую технологию IBM в своих продуктах. К сожалению, AMD пока отказывается комментировать что-либо. Напомним, что в данный момент AMD активно продвигает технологию Z-RAM, которая разрабатывается совместно с компанией Innovative Silicon. В это время Intel также не дремлет – она делает ставку на технологию floating-body cell (FBC). Гонка технологий продолжается.

Основные характеристики eDRAM:

Площадь ячейки: 0,126 мм²;

Напряжение питания: 1 В;

Плотность чипов: 2 Мбит;

Мощность переменного тока: 76 мВт;

Потребляемая мощность в бездействующем режиме: 42 мВт;

Среднее время, необходимое для считывания данных (NS-рейтинг): 2 нс;

Латентность: 1,5 нс.

3DNews