45 нанометров – новый рекорд плотности микросхем

Корпорация Intel изготовила первый в мире чип статической оперативной памяти (SRAM) с 1 миллиардом транзисторов и первый — по техпроцессу 0,045 микрона, то есть, с расстоянием между элементами схемы 45 нанометров.

"Это означает, что мы можем упаковать в два раза больше транзисторов на одной схеме, которая будет требовать меньше энергии", — объяснил ведущий инженер корпорации Марк Бор (Mark Bohr).

По его словам, новый чип в лишний раз подтверждает закон, сформулированный соучредителем Intel Гордоном Муром (Gordon Moore), который гласит, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 18 месяцев.

Серийно производить чипы по новой технологии, используя кремниевые пластины диаметром 300 мм, Intel намеревается во второй ине 2007 года.

Инф. Мembrana