Samsung выпустил 512Мб модуль памяти

Корейский электронный гигант Samsung Electronics, мировой лидер в разработке самых современных модулей памяти, объявил о завершении работы над первым работоспособным прототипом 512Мб модуля мобильной 32 разрядной DRAM со скоростью передачи информации до 333Мб/сек. Эта скорость вполне достаточна для обеспечения высококачественной 3D графики и потокового видео в мобильных телефонах следующего поколения, а также в КПК, портативных сканерах и другой электронике. Использование сразу двух таких 512Мб модулей мобильной DRAM позволит получить один гигабайт памяти, что откроет новые возможности в сфере мобильного хранения информации. Поскольку новый модуль питается от напряжения 1.8 вольт, он может использоваться как в формате double data rate (DDR), так и синхронном DRAM (SDRAM), что опять же существенно расширяет его возможную сферу применения. Мобильные телефоны третьего поколения, неотъемлемой чертой которых будет наличие потокового видео, представляют собой гигантский рынок для такой памяти. По прогнозам экспертов, продажи 3G телефонов будут расти в среднем на 67% в год, и с 2004 по 2008 год планируется продать порядка 280 миллионов таких аппаратов. Аналитическое агентство IDC называет общее количество мобильных телефонов, которые будут продаваться за год к 2008 год составит 790 миллионов. Производство нового чипа Samsung начнет во второй ине 2005 года. Cообщает HPCru