«Плотные» чипы флэш-памяти от Toshiba

Плохая новость для компании Samsung: Toshiba и ее партнер SanDisk известили общественность о том, что совместными усилиями им удалось создать новые MLC-чипы флэш-памяти (NAND-чипы) с самой большой плотностью «упаковки данных». Уже в этом квартале должны начаться коммерческие поставки этих 8-гигабитных (т.е. 1-гигибайтных) чипов, а в течение второго квартала Toshiba и SanDisk обещают наладить выпуск и аналогичных 16-гигабитных чипов. Вполне возможно, что в основе новой технологии лежат предыдущие разработки SanDisk, к примеру, ее новые емкие SSD-накопители.

 

Самое интересное, что заявление партнеров о достижении «самой большой плотности» весьма се: дело в том, что Samsung использует при изготовлении своих новых флэш-чипов техпроцесс 50 нм, а у Toshiba ничего не получилось даже с технологией 52 нм, вследствие чего в ее с SanDisk новых чипах используется технология 56 нм. Может быть, здесь есть какой-то подвох, но на первый взгляд как-то не верится, что использование технологии 56 нм позволяет «упаковать» данные плотнее, чем при применении техпроцесса 50 нм. Кто прав – Toshiba или Samsung? Пока непонятно. Впрочем, это как раз не так уж и важно: главное, чтобы флэш-память дешевела, а накопители на ее основе становились все более компактными, емкими и быстрыми.

 

Мobiledevice